Kt E-cap is applied on 5G cell site

A tendência da tecnologia 5G é a questão mais popular em 2020. Você está pronto para que a tecnologia 5G chegue ao mercado 3C?

O capacitor eletrolítico de alumínio radial é um dos componentes mais importantes para ser aplicado no local da célula 5G. As demandas de capacitores eletrolíticos de alumínio do mercado 3C estão ficando cada vez mais.

No entanto, temos a linha de produção mais forte com excelentes qualidades e preço razoável por décadas no mercado europeu.

Bem-vindo ao entrar em contato conosco para mais detalhes se você estiver interessado em nosso Capacitor eletrolítico de alumínio radial.

Kingtronics 
P/N

Vida de carga

Temperaturas

Característica

GKT-GS

2000H

85°C

Super Miniaturized

GKT-GT

2000H

105°C

High Temperature

GKT-GH

2000H

105°C

Low Impedance

GKT-GL

5000H

105°C

Long Life

GKT-GD

3000H~6000H

105°C

Miniaturized, long 
life

GKT-GE

5000H

130°C

Long life

GKT-GF

5000H

105°C

Miniaturized,high 
stability

GKT-GQ

4000H~10000H

105°C

Long life, Miniature

GKT-GR

3000H~6000H

105°C

Long life,High 
frequency

GKT-GU

3000H

105°C

Lowest impedance

GKT-GZ

6000H-10000H

105°C

Extremely long life

GKT-GN

1000H

105°C

Non-Polarized

GKT-GW

2000H

105°C

Extra Lower 
Impedance

Kt Through-Hole Cermet Consumer

Consumidor de Cermet através do furo da Kingtronics com excelente preço e suporte de prazo de entrega, sua consulta é bem-vinda.

RKT-3306 6 mm Through-Hole Cermet Consumer
RKT-3309 9 mm através do orifício de cermet Consumidor


Estilos de terminal: 3306F 3306K 3309P 3309W
Prazo de execução: 4-7 semanas

Vídeo do produto: https://www.youtube.com/watch?v=PByDraT2Iww

**Recursos:
Potenciômetro de corte do consumidor
Potenciômetro de corte de cermet
Potenciômetro de ajuste de uma volta
Rotor de fenda cruzada
Estilos de ajuste horizontal e vertical

Kingtronics Tantalum Capacitors to Rise

Espera-se que Yageo incorpore totalmente o KEMET no relatório financeiro consolidado de julho.

A pessoa jurídica destacou que o 5G impulsiona a demanda por capacitores de tântalo, e o efeito do aumento de preços impulsionado pela epidemia, estima-se que o preço dos capacitores de tântalo dobrará até o final deste ano.

Afetados pela epidemia de COVID-19 (doença coronavírus 2019), o andamento da retomada do trabalho e o fornecimento de capacitores de tântalo são escassos,

A pessoa jurídica destacou que alguns itens tiveram aumento de preço, e a nova tarifação entrará em vigor de maio até o final de setembro; já que os fabricantes aumentaram seus preços,

O preço de varejo à vista circundante subiu 2 a 3 vezes, e a indústria prevê que o aumento de preço pode dobrar até o final deste ano.

Vamos a Kingtronics ajudar. abaixo da série tan cap fyi, basta entrar em contato com nossa equipe de vendas com sua consulta ou demanda antes que a situação fique mais difícil:

Radial Epoxy Dipped and Chip, Polymer, Hybrid, Axial Tantalum Capacitors

SERIES

DESCRIPTION

CAP. RANGE

VOLT. RANGE (DC)

TEMP. RANGE (°C)

TKT

Radial Epoxy Dipped

0.1 - 330µF

6.3V - 50V

-55 ~ +125

CKT

Chip Tantalum Capacitors

0.1 - 470µF

4V - 50V

-55 ~ +125

EKT

Low ESR Chip Tantalum Capacitors

0.1 - 470µF

4V - 50V

-55 ~ +125

PKT

Solid Polymer Tantalum Capacitors

0.47 - 1000µF

2.5V - 63V

-55 ~ +105

YKT-001

Hybrid, Radial-lead, Heteropolarity

160 - 50000µF

10V - 125V

-55 ~ +125

YKT-002

Hybrid, Radial-lead, Heteropolarity

1100 - 150000µF

10V - 125V

-55 ~ +125

YKT-003

Hybrid, Radial-lead, Heteropolarity

2200 - 230000µF

10V - 125V

-55 ~ +125

YKT-1W0

Radial-lead, Heteropolarity, screws

160 - 50000µF

10V - 125V

-55 ~ +125

YKT-2W0

Radial-lead, Heteropolarity, screws

1100 - 150000µF

10V - 125V

-55 ~ +125

YKT-3W0

Radial-lead, Heteropolarity, screws

2200 - 230000µF

10V - 125V

-55 ~ +125

YKT-2W3

Radial-lead, Heteropolarity, 3 screws

5600 - 24000µF

50V - 80V

-55 ~ +125

YKT-00L

Hybrid, Radial-lead, Heteropolarity

68 - 22000µF

10V - 125V

-55 ~ +125

YKT-00Z

Combined Non-solid Electrolytic

160 - 50000µF

150V - 5000V

-55 ~ +125

YKT-005

Hybrid, Square, Heteropolarity

160 - 50000µF

50V

-55 ~ +125

YKT-2FB

Hybrid, With Mounting flange

8000- 11000µF

10V - 125V

-55 ~ +125

YKT-00F

Hybrid, With Mounting flange

560- 230000µF

10V - 125V

-55 ~ +125

YKT-2F0

Hybrid, With Mounting flange

1100 - 100000µF

10V - 125V

-55 ~ +125

ZKT-30

Silver Axial Wet Tantalum Capacitors

0.5 - 3300 µF

6.3V - 125V

-55 ~ +125

ZKT-35

Silver Axial Wet Tantalum Capacitors

1 - 1500 µF

6.3V - 125V

-55 ~ +125

ZKT-01

Metal Axial Wet Tantalum Capacitors

0.1 - 1000µF

6.3V - 100V

-55 ~ +125

Kingtronics The Epidemic Drives the Price of Tantalum Capacitors to Rise

Kt Recovery Diodes and Schottky Diodes

1. Diodo de recuperação rápida
O diodo de recuperação rápida, FRD, é um diodo semicondutor com boas características de comutação e tempo de recuperação reverso curto. Possui condutividade unidirecional como diodos comuns. É usado principalmente em circuitos eletrônicos de fontes de alimentação de comutação, moduladores de largura de pulso, inversores, etc. É usado principalmente como diodos retificadores de alta frequência, diodos de roda livre ou diodos de amortecimento.

2. Diodo de barreira Schottky
O diodo Schottky Barrier, abreviado como SBD, não é fabricado usando o princípio da junção PN.
É um semicondutor feito de metal como ânodo e semicondutor tipo N como cátodo, usando a barreira formada na superfície de contato dos dois com características de retificação. Um dispositivo semicondutor é um tipo de diodo portador quente.
Os diodos Schottky são usados ​​principalmente em circuitos como diodos retificadores, diodos de giro livre, diodos de proteção, etc., e são usados ​​principalmente em circuitos de baixa tensão e alta corrente, como fontes de alimentação de comutação, conversor de frequência, inversor, comunicação de microondas.

3. Recursos de diodos de recuperação rápida e diodo de barreira Schottky
uma. O tempo de recuperação reversa dos diodos de recuperação rápida é de várias centenas de nanossegundos, enquanto o diodo Schottky Barrier é mais rápido que ele, mesmo vários nanossegundos;
b. A tensão de ruptura reversa dos diodos de recuperação rápida é alta, geralmente superior a 200V, ou mesmo vários milhares de volts, enquanto a tensão de ruptura reversa dos diodos da Barreira Schottky é muito baixa, geralmente abaixo de 100V, e alguns serão maiores;
c. O consumo de energia dos diodos de recuperação rápida é relativamente grande, enquanto os diodos da Schottky Barrier têm um tempo de recuperação reverso curto, baixa perda e baixo ruído.
kingtronics website:https://www.kingtronics.com/diodes-rectifiers/

https://www.kingtronics.cn/archives/Kt-Kingtronics-Introduce-the-Differences-Between-Recovery-Diodes-and-Schottky-Diodes-202020806.html

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